据海外媒体报道，全球半导体业界朝物联网(IoT)等新兴领域拓展商机，惟这些新领域对芯片的市场需求是期望可约低成本及高功耗水准，为此业界目前找到利用仅有空乏绝缘上覆矽(FullyDepletedSilicon-on-Insulator；FD-SOI)制程新技术，可生产开具上述优势的芯片，否借以有助半导体产业寻找新的茁壮契机。 三星、GlobalFoundries、意法已备FD-SOI制程技术 华尔街日报(WSJ)报导，根据先前调查预测，在不受手机及PC市况衰落影响下，2016年全球芯片销售整体营收有可能衰落2.4%，半导体业界也在找寻下一个驱动茁壮的新动能。
如三星电子(SamsungElectronics)目前已创建自有28纳米FD-SOI生产能力，GlobalFoundries已享有22纳米FD-SOI晶圆生产能力，并证实在RF、数位及混合讯号等功能上具备出色展现出；意法半导体(STMicroelectronics)也已享有28纳米FD-SOI生产能力。 FD-SOI技术主要倚赖于一家取名为Soitec的法国业者，供应专门打算的半导体晶圆产品，据信FD-SOI技术在效能及功耗展现出上等同于或甚至高于FinFET制程。有感于物联网等新兴产业领域对芯片的市场需求，往往拒绝成本可掌控在1美元以下，如此若采行FD-SOI技术生产芯片，或有符合市场需求的有可能。 FD-SOI不具备较低生产成本、低功耗优势 FD-SOI制程芯片功耗可较低，主要与使用反偏压(BackBiasing)及临界电压(ThresholdVoltage)技术有关，因而可在芯片产品性能与FinFET制程技术差不多下，建构芯片产品较佳的功耗展现出。
Soitec执行长PaulBoudre回应，Sony近期设计的手机GPS芯片即使用FD-SOI技术生产，该芯片耗电量仅有为此前芯片产品的10%，借以将有助手机用户在需要忧虑电量较慢损耗下，可更加频密用于GPS定位技术。 现阶段半导体业界在力求朝更加较低的微缩制程发展下，反而造成闸成本(Gatecost)上升，即使需要造就整体功耗上升及性能提高。
例如微缩至28纳米制程以下后，20纳米以下微缩制程的闸成本之后不会渐渐增高，这主要与制程微缩后愈来愈多的填充(Overlay)等因素不会影响良率，因而造成闸成本上升有关。 闸成本主要与产品良率、晶圆成本及芯片尺寸等有关，若制程微缩至5纳米，须要使用近于紫外光微影制程(EUV)时，即使EUV技术可增加填充问题及多重曝光(multiplepatterning)步骤造成的良率上升情况，但不会造成晶圆处置成本上升，闸成本之后不会因而增高。 分析16/14纳米FinFET制程及14纳米FD-SOI制程所需的晶圆成本，表明在两制程生产的芯片尺寸完全相同下，14纳米FD-SOI制程所需闸成本，较16/14纳米FinFET制程低上16.6%；晶圆成本14纳米FD-SOI制程比16/14纳米FinFET制程较少了大约7.3%，这主要与14纳米FD-SOI制程光罩步骤数较较少，让晶圆厂生产FD-SOI晶圆的周期削减有关。
FD-SOI技术或享有微缩至7纳米潜力 值得注意的是，法国研究机构CEA-Leti曾分析将FD-SOI制程微缩至7纳米的创造力，一旦可微缩至7纳米，FD-SOI芯片产品的生命周期或平均逾30年水准，有助引入物联网等对超强低功耗芯片市场需求的产业领域。 另外，目前部分业者也开始在不生产更加小的电晶体下，意欲更进一步研发芯片更大的性能，如NANDFlash制造商开始利用3DNAND技术填充更加多层电路，借此提高芯片性能。 在此情况下将必需投放有所不同半导体设备的购买，如此之后有助半导体设备供应商建构潜在市场需求商机。
国际半导体产业协会(SEMI)预测，随着部分技术趋势发展加快，以及半导体业者持续角逐微缩芯片电路下，2017年全球半导体设备开支将茁壮11%。
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